На зображенні показані наноструктури срібла (Ag), осаджені на поверхню кремнію (Si)

Наноструктури срібла (Ag), осаджені на поверхню кремнію (Si) На нижньому графіку показаний переріз поверхні вздовж червоної лінії, що позначена на зображенні. Графік демонструє зміну висот рельєфу, даючи змогу оцінити форму і розміри наноструктур.

На зображенні представлені наноструктури срібла (Ag), сформовані на поверхні кремнію (Si) з орієнтацією (111) Основні деталі: Ліве зображення: Площа сканування становить 63.5 × 63.5 нм².

На зображенні представлені "квантові колодязі" на поверхні срібла (Ag), сформовані на кремнієвій підкладці (Si (111)).
Основні деталі: Ліве зображення: Площа сканування становить 63.5 × 63.5 нм². Червона стрілка позначає область, для якої знято лінійний профіль висоти.

На фото зображено знімки поверхні наноструктур срібла (Ag), розміщених на підкладці кремнію (Si) з орієнтацією (111). Видно зернисту структуру поверхні з помітними межами зерен (grain boundaries), а також окремі наноструктури.

На зображенні представлено результати тунельної спектроскопії аморфних сплавів

На зображенні представлені результати дослідження тунельної спектроскопії аморфного сплаву під час термічного відпалу. Дослідження зосереджено на зміні густини електронних станів при різних температурах.

На зображенні представлені сканувальні тунельні мікроскопічні (STM) зображення поверхні аморфного металевого сплаву при різних температурах термічного відпалу.

На зображенні показано наноструктури золота (Au), осаджені на поверхню монокристалу GaSe, отримані за допомогою сканувальної тунельної мікроскопії (STM).

На зображенні представлені наноструктури міді (Cu), сформовані на поверхні шаруватого напівпровідникового монокристалу InSe.

На зображенні представлені упорядковані гексагональні пірамідальні структури міді (Cu), сформовані на поверхні кремнію Si(111).

На зображенні показані впорядковані подвійні гексагональні наноструктури міді (Cu), сформовані на поверхні кремнію Si(111).

Атомна структура поверхні монокристала InSe (0001), отримана за допомогою STM. Особливості: Вказані межі двійників (twin boundaries), що є дефектами структури. Зображення демонструє атомарну топографію з високою роздільною здатністю.

Дослідження електронної структури поверхні InSe (0001). Особливості: Вказано розподіл густини станів (DOS) та ширину енергетичної щілини, отриманої методом тунельної спектроскопії. Можливо, також ілюструється просторове розташування атомів.

Гексагональні наноструктури золота на поверхні Si(111). Особливості: Представлена топографія з фокусом на багатошаровість та характерну відстань між шарами (~3 нм)

Монокластерні утворення на поверхні Si(111). Особливості: Щільна упаковка кластерів із зазначенням їхнього розташування та висоти (~0.3 нм).

Голкоподібні наноструктури золота на поверхні Si(111). Особливості: Зображення демонструє високу анізотропність та розподіл кластерів із деталізацією висоти та площі.

Нікелеві кластери на поверхні Si(111), отримані методом тунельної спектроскопії. Особливості: Синхронізація кластерів із симетрією підкладки, локалізація за рахунок механізмів утворення двійників.

Упорядковані масиви нанокластерів золота на поверхні Si(111).

Нагрівання поверхні Si(111) та відновлення реконструкції 7×7.

Реконструкція поверхні Si(111) у форматі 7×7.